【正文】 S反相器由本书模拟部分已知，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。 首先考虑两种极限情况：当vI处于逻辑0时 ，相应的电压近似为0V；而当vI处于逻辑1时，相应的电压近似为VDD。在TN的输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，叠加一条负载线，它是负载管TP在 vSGP=0V时的输出特性iD－vSD。这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级） 下图分析了另一种极限情况，此时对应于vI＝0V。 由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。 CMOS反相器在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。 因此，这种电路具有与非的逻辑功能，即 n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为 显然，n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。它由一级或非门和一级与或非门组成。 13．4 BiCMOS门电路双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视 上图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时,情况则相反，Mp导通，MN截止。当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷迅速消散。根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。与此同时，M1通过MPA和MpB被VDD所激励，从而为T2的基区存储电荷提供一条释放通路。13．CMOS传输门MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如上图所示。两管的栅极由互补的信号电压（+5V和5V）来控制，分别用Ｃ和 表示。为使开关接通，可将C端接高电压+5V。进一步分析还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，可以忽略不计。我们在放大器输入端的基极施加一个信号电压VI，设某一瞬时该信号的极性为正信号，用(+)表示，经三极管V的集电极倒相后变为负信号，用(一)来表示。注意：若反馈信号取自输出电压信号，则称为电压反馈；若反馈信号取自输出电流信号，则称为电流反馈。13．10．振荡电路电感三点式振荡器 考虑LL2间的互感，电路的振荡频率可近似表示为 电容三点式振荡器 振荡频率： 20 / 20。具体方法是：若将负载电阻 R L 短路，如果反馈作用消失，则为电压反馈；如果反馈作用存在，则为电流反馈。4． 负反馈放大电路的四种类型：A电压串联负反馈 B 电压并联负反馈C电流串联负反馈 D电流并联负反馈13．9 放大电路三种基本组态的放大电路图： 共发射极放大电路 共基极放大电路 共集电极放大电路注意：放大电路共发射极时，Ai和Au都比较大，但是输出电压和输入电压的相位相反；共基极时，Ai比较大，但是Au较小，输出电压与输入电压同相，并且具有跟随关系，它可作为输入级，输出级或起隔离作用的中间级；共集电极时，Ai较小，Au较大，输出电压与输入电压同相，多用于宽频带放大等。13．6 整流电路 桥式整流电路13．7滤波电路 (a) C型滤波电路 (b) 倒L型滤波电路 (c) Ⅱ型滤波电路 图1 （3）几种常见的桥式整流滤波电路： A 电容滤波电路： B电感滤波电路 13．8．反馈电路1．正反馈：是指反馈回来的信号增强输入信号（常用与振荡电路）； 负反馈：是指反馈回来的信号削弱原输入信号（用与放大电路）。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。同时TP的棚压为5V ，vI在3V到+5V的范围内TP将导通。同时,TP的栅压为+5V，TP亦不导通。设它们的开启电压VT=2V且输入模拟信号的变化范围为5V到+5V 。下面着重介绍CMOS传输门。同时，M1A或M1B为T1的基极存储电荷提供一条释放道路。正如下图所示的2输入端或非门。同理 ，当vI为低电压时，电源电压VDD通过MP以激励M2使M2导通，显然T2基区的存储电荷通过M2而消散。同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T2放电。而Mp、MN、MM2所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或 如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有 的功能，因而称为同或门。因而或非门用得较多。其中包括两个并联的N沟道增强型MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。由于CMOS反相器中，两管的gm值均设计得较大，其导通电阻较小，充电回路的时间常数较小。因此，在过渡区域，传输特性变化比较急剧。图中VDD=10V，VTN=VTP=VT=2V。由图可知，工作点决定了VO＝VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值 。两条曲线的交点即工作点。但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。2. 直流输入电阻RGS?即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比?这一特性有时以流过栅极的栅流表示?MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。早期生产的CMOS门电路为4000系列 ，随后发展为4000B系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。 第十二节 TTL逻辑门电路以双极型半导体管为基本元件，集成在一块硅片上，并具有一定的逻辑功能的电路称为双极型逻辑集成电路，简称TTL逻辑门电路。 此外,还可以用或非门的输入、输出端交叉连接构成置0、置1触发器,（a）（b）所示。 =S=1时，触发器状态保持不变。由于这里的触发信号是电平,因此这种触发器称为电平控制触发器。R=0,S=1时，使触发器置0，或称复位。通常称触发器处于某种状态，实际是指它的Q端的状态。 工作原理 :基本RS触发器的逻辑方程为： 根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系: =S=0时，则Q=0,Q=1,触发器置1。ATX主机板的尺寸一般为12X96(单位为英寸)。2．在线测量 在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c。按功能分：开关管和放大 半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件） NPN型三极管共发射极的特性曲线。按频率分：高频管和低频管 b。中、小功率管有的b极可能在中间。第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R10kΩ档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。.判别半导体三极管的c极和e极：确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。 用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表). a。三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。 半导体三极管的主要参数 a。：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。目视法判断半导体二极管的极性:,另外一端是正极. b。硅二极管在两极加上电压,. B。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。如果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已击穿。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。电容器的计算： C1 c2 c1

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