電子元件分類 一 . 電抗元件 (又稱三大元件 )名稱 : 電阻 ,電容 ,電感 ( L ,C, R)二 . 機電元件名稱 : 開關 , 連接器 ,繼電器主要參數 : 額定電壓 ,額定電流 ,絕緣阻抗 ,接觸電阻 ,壽命三 . 半導體分立元件名稱 : 二极管 ,三极管 ,場效應管四 . 集成電路電阻 (Resistor)一、什么叫电阻导电体对电流的阻碍作用称着电阻,用符号R表示二、单位:为欧姆、千欧、兆欧,分别用 Ω 、 kΩ 、 MΩ 表示1MΩ =103 kΩ =106Ω 欧姆 Ω 、千欧k Ω 、兆欧M Ω 吉欧G Ω 太欧T Ω三、主要特性参数1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值2、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度3、额定功率:在正常的条件下,电阻器长期工作所允许耗散的最大功率线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50非线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25四、电阻器阻值标示方法1、直标法:用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值,其允许误差直接用百分数表示。
2、文字符号法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,其允许偏差也用文字符号表示误差 D±0.5% F±1% G±2% J±5% K±10% M±20% Z+80-20%3、色标法:用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差国外电阻大部分采用色标法颜色 符号 第一有效值 第一有效值 第三位为指数 第四位误差黑 0 X10的 0次方棕 1 1 X10的 1次方 ± 1%電感 L 連接器 CN IC U電阻 R 二极體 D 濾波器 XF電容 C 三极體 Q 開關 S排阻 RA 晶振 X 變壓器 T可調電阻 VRP CB 上的零件代碼红 2 2 X10的 2次方 ±2%橙 3 3 X10的 3次方黄 4 4 X10的 4次方绿 5 5 X10的 5次方 ± 0.5%兰 6 6 X10的 6次方 ± 0.25%紫 7 7 X10的 7次方 ± 0.1%灰 8 8 X10的 8次方白 9 9 X10的 9次方金 X0.1 ±5%银 X0.01 ± 10%无色 ±20%当电阻为四环时,最后一环必为金色或银色,前两位为有效数字, 第三位为乘方数,第四位为偏差。
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2、 按电 解质 分类有:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介 质电容器等3、 按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型 电容器4、 高频旁路:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容 器5、低频旁路:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器6、滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器三、常用电容器1、铝电解电容器 2、钽电解电容器(CA)铌电解电容(CN)3、薄膜电容器a 聚酯(涤纶)电容(CL) b 聚苯乙烯电容(CB) c 聚丙烯电容(CBB)4、瓷介电容器a 高频瓷介电容(CC) b 低频瓷介电容(CT)5、独石电容器6、纸质电容器7、微调电容器四、电容器主要特性参数1、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。
2、额定电压在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏五、电容器容量标示1、直标法用数字和单位符号直接标出如01uF表示0.01微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法2、文字符号法用数字和文字符号有规律的组合来表示容量如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.3、色标法用色环或色点表示电容器的主要参数电容器的色标法与电阻相同电容器偏差标志符号:+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z5. 晶片電容尺寸 : 2016, 1812, 1210, 1206, 0805, 0603, 0402, 0201电感(inductor, bead,choke )1. 种类:电阻形绕线微亨( uH)3.结构:线圈、绕线、组成一个PN结构成晶体二极管,设法把P型半导体(有大量的带正电荷的空穴)和N型半导体(有大量的带负电荷的自由电子)结合在一起,在P型半导体的N型半导体相结合的地方,就会形成一个特殊的薄层,这个特殊的薄层就叫“PN结”。
晶体二极管实际上就是由一个PN结构成的2、类型a、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:点接触型二极管、键型二极管、合金型二极管、扩散型二极管、台面型二极管、平面型二极管、合金扩散型二极管、外延型二极管、肖特基二极管等b 、根据用途分类检波用二极管、整流用二极管、限幅用二极管、调制用二极管、放大用二极管、开关用二极管、变容二极管、频率倍增用二极管、稳压二极管、PIN型二极管(PIN Diode)等c、根据特性分类点接触型二极管、肖特基二极管SBD、光电二极管(LED)、真空管/电子管 等d、半导体材料可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)3、二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出4、二极管的主要参数B : + / - 0 . 1 n H C : + / - 0 . 2 n H D : + / - 0 . 5 n H W : + / - 0 . 0 5 n H M : + / - 2 0 %G : + / - 2 % H : + / - 3 % J : + / - 5 % K : + / - 1 0 % N : + / - 3 0 %S: + / - 0 . 3 % 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的 参数,不同类型的二极管不同的特性参数,主要参数为:1、额定正 向工作电流;2、最高反向工作电压;3、反向电流。
5、二极管的特性晶体二极管(或PN结)具有单向导电特性晶体二极管用字母“D”代表,在电路中常用图3的符号表示,即表示电流(正电荷)只能顺着箭头方向流动,而不能逆着箭头方向流动下图是常用的晶体二极管的外形及符号6、电路符号及字母表示整 流 二极管(D) 稳压二极管(ZD) 发光二极管(LED)三极管1、晶体三极管的结构和类型晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c2、三极管的作用晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量这是三极管最基本的和最重要的特性我们将 Δ Ic/Δ Ib的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“ β ”表示电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变3、符号Q4、三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,如图对于小功率金属封装三极管,按图示底视图位置放置,使三个引 脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
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集成电路芯片1、集成电路(Integrated Circuit, IC)分类微处理器(Microprocessor)、逻辑芯片(Logic IC)、存储器(Memory IC)、模拟器件(Analog IC)、专用芯片等2、集成电路(Integrated Circuit,IC)的封装集成电路(Integrated Circuit,IC)的封装存在两种标准:JEDEC标准和EIAJ标准,其中EIAJ标准主要用于日本市场,而JEDEC标准应用更为广泛这两种标准:SOP-D(14Pin和16Pin)和SOP-DW(20Pin,通常所称的宽行)属于JEDEC标准,SOP-NS(20Pin,通常所称的窄行)属于EIAJ标准SOP:两边有脚并且对称,脚向外弯,呈鸥翼形SOJ:两边有脚并且时称,脚向内弯,呈 J形QFP:四边有脚并且时称,脚向外弯,呈鸥翼形PLCC:四边有脚并且时称,脚向外弯,呈 J形BGA:零件表面无脚,其脚呈球状矩阵排列于零件的底部@。
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